第六条
輸出令別表第一の七の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
- 一集積回路（モノリシック集積回路、ハイブリッド集積回路、マルチチップ集積回路、膜形集積回路（シリコンオンサファイア集積回路を含む。）、光集積回路、三次元集積回路及びモノリシックマイクロ波集積回路を含む。）であって、次のいずれかに該当するもの
- イ次のいずれかの放射線照射に耐えられるように設計したもの
- ロマイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、化合物半導体を用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、アナログデジタル変換機能を有しデジタル化されたデータを記録し、若しくは処理することができるもの、デジタルアナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路若しくは光集積回路、フィールドプログラマブルロジックデバイス、カスタム集積回路（ハからチまで若しくはルからヨまでのいずれかに該当する貨物であるかどうかの判断をすることができるもの又は輸出令別表第一の五から一五までの項の中欄のいずれかに該当する貨物に使用するように設計したものであるかどうかの判断をすることができるものを除く。以下この条において同じ。）、ＦＦＴプロセッサ、スタティック式のラム又は不揮発性メモリーであって、次のいずれかに該当するもの（民生用の自動車又は鉄道車両用に設計した集積回路を除く。）
- ハマイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ又はマイクロコントローラのうち、化合物半導体を用いたものであって、最大クロック周波数が四〇メガヘルツを超えるもの
- ニ削除
- ホアナログデジタル変換用のもの又はデジタルアナログ変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの
- ヘ信号処理用の電気光学的集積回路又は光集積回路であって、次の（一）から（三）までのすべてに該当するもの
- トフィールドプログラマブルロジックデバイス（コンプレックスプログラマブルロジックデバイス、フィールドプログラマブルゲートアレイ、フィールドプログラマブルロジックアレイ又はフィールドプログラマブル相互接続用集積回路を含む。）であって、次のいずれかに該当するもの（ワに該当するものを除く。）
- チニューラルネットワークを用いたもの（ヨに該当するものを除く。）
- リカスタム集積回路であって、次のいずれかに該当するもの
- ヌ化合物半導体を用いたデジタル方式のものであって、次のいずれかに該当するもの（ハ、ホからリまで及びルのいずれかに該当するものを除く。）
- ルＦＦＴプロセッサであって、高速フーリエ変換のミリ秒で表した定格実行時間が次に掲げる式により算出した値未満のもの
- ヲダイレクト・デジタル・シンセサイザ（ＤＤＳ）集積回路であって、次のいずれかに該当するもの
- ワ次の（一）及び（二）に該当するもの又はこれを実行するようにプログラムが可能なもの
- カ相補型金属酸化膜半導体集積回路であって、零下二六八・六五度以下の温度で作動するように設計したもの（ロに該当するものを除く。）
- ヨ一つ以上のデジタルプロセッサユニットを有するものであって合計処理性能（ＴＰＰ）が六、〇〇〇以上のもの
- イ
- 二マイクロ波用機器又はミリ波用機器の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
- イ真空電子デバイス（クライストロン、進行波管及びこれらから派生したものを含む。以下ロにおいて同じ。）であって、次のいずれかに該当するもの（（四）に該当するものを除く。）
- ロ真空電子デバイスに使用するように設計した熱電子陰極であって、定格動作状態での放射電流密度が五アンペア毎平方センチメートルを超えるもの又は定格動作状態でのパルス放射電流密度が一〇アンペア毎平方センチメートルを超えるもの
- ハモノリシックマイクロ波集積回路増幅器であって、次のいずれかに該当するもの（カに該当する集積化された移相器を有するモノリシックマイクロ波集積回路増幅器を除く。）
- ニマイクロ波用ディスクリートトランジスタであって、次のいずれかに該当するもの
- ホマイクロ波用固体増幅器（モノリシックマイクロ波集積回路増幅器及びハーモニックミクサ又はコンバータを除く。）又はこれを含む組立品若しくはモジュール（送受信モジュール及び送信モジュールを除く。）であって、次のいずれかに該当するもの
- ヘ電子的又は磁気的に同調可能な帯域通過フィルターであって、次の（一）及び（二）に該当するもの
- ト電子的又は磁気的に同調可能な帯域阻止フィルターであって、次の（一）及び（二）に該当するもの
- チ削除
- リハーモニックミクサ又はコンバータであって、次のいずれかに該当するもの
- ヌイに該当する真空電子デバイスを内蔵するマイクロ波用電力増幅器であって、次の（一）及び（二）に該当するもの（国際電気通信連合が無線通信用に割り当てた周波数帯域（無線測位用に割り当てた周波数帯域を除く。）で使用するように設計したものを除く。）
- ルマイクロ波用電力モジュールであって、進行波真空電子デバイス、モノリシックマイクロ波集積回路及び電源を有するもののうち、次の（一）から（三）までの全てに該当するもの
- ヲ発振器又は発振機能を有する組立品であって、動作周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇ヘルツ以上一〇キロヘルツ以下のいずれかの周波数帯域において、搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次に掲げる式により算定した値未満のもの
- ワ周波数シンセサイザーを用いた電子組立品のうち、次のいずれかに該当するもの
- カ送受信モジュール、送受信用モノリシックマイクロ波集積回路、送信モジュール及び送信用モノリシックマイクロ波集積回路であって、動作周波数が二・七ギガヘルツを超えるもののうち、次の全てに該当するもの
- ヨパラメトリック信号増幅器であって、次の（一）から（三）までの全てに該当するもの
- イ
- 三弾性波若しくは音響光学効果を利用する信号処理装置であって、次のいずれかに該当するもの（特定の帯域通過、低域通過、高域通過、帯域阻止又は共振の機能のいずれかのみを有するものを除く。）又はその部分品
- イ表面弾性波又は疑似表面弾性波を利用するものであって、次のいずれかに該当するもの
- ロバルク弾性波を利用するものであって、六ギガヘルツを超える周波数で信号の直接処理ができるもの
- ハ弾性波と光波の相互作用を利用したものであって、信号又は画像の直接処理ができるもの
- イ
- 四超電導材料を用いた装置のうち、超電導材料を用いた部品を有する電子素子又は電子回路であって、使用する超電導材料の臨界温度より低い温度で使用することができるように設計し、かつ、次のいずれかに該当するもの
- イ超電導ゲートを有するデジタル回路用の電流スイッチングの機能を有するものであって、ゲート当たりの遅延時間にゲート当たりの電力消費を乗じて得た値が一、〇〇〇億分の一ミリジュール未満のもの
- ロ周波数分離の機能を有するものであって、キュー値が一〇、〇〇〇を超える共振回路を有するもの
- イ
- 五セル（バッテリー（シングルセルバッテリーを含む。）に組み込まれているものを除く。）であって、次のいずれかに該当するもの
- イ一次セルであって、二〇度の温度におけるエネルギー密度及び電力密度が次のいずれかに該当するもの
- ロ二次セルであって、二〇度の温度におけるエネルギー密度が三五〇ワット時毎キログラムを超えるもの
- イ
- 六高電圧用のコンデンサであって、次のいずれかに該当するもの
- イ反復サイクルが一〇ヘルツ未満のコンデンサであって、次の（一）から（三）までのすべてに該当するもの
- ロ反復サイクルが一〇ヘルツ以上のコンデンサであって、次の（一）から（四）までのすべてに該当するもの
- イ
- 七一秒を要しないで磁界を完全に形成させ、又は消失させるように設計した超電導電磁石（ソレノイドコイル形のものを含む。）であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの
- イ減磁の際に最初の一秒間で放出するエネルギーが一〇キロジュールを超えるもの
- ロコイルの内径が二五〇ミリメートルを超えるもの
- ハ定格最大電流密度が三〇〇アンペア毎平方ミリメートルを超えるもの又は定格磁束密度が八テスラを超えるもの
- イ
- 七の二太陽電池セル、セル連結保護ガラス集成品、太陽電池パネル又は太陽光アレーであって、宇宙用に設計したもののうち、エア・マス・ゼロで一、三六七ワット毎平方メートルの照射を受けたときの最小平均変換効率が、二八度の動作温度において二〇パーセントを超えるもの
- 八回転入力型のアブソリュートエンコーダであって、角度の変換誤差の絶対値が一秒以下のもの及び当該エンコーダ用に設計されたリング、ディスク又はスケール
- 八の二パルス出力の切換えを行うサイリスターデバイス又はサイリスターモジュールであって、電気的に若しくは光学的に制御された切換え方法又は電子の放射を制御された切換え方法を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの（民生用の鉄道車両又は航空機に使用するように設計された装置に組み込まれたものを除く。）
- イ最大立上がり電流が三〇、〇〇〇アンペア毎マイクロ秒を超えるものであって、休止状態電圧が一、一〇〇ボルトを超えるもの
- ロ最大立上がり電流が二、〇〇〇アンペア毎マイクロ秒を超えるものであって、次の（一）及び（二）に該当するもの
- イ
- 八の三電力の制御又は電気信号の整流を行う半導体素子又は半導体モジュールであって、次のイからハまでのすべてに該当するもの（民生用の自動車、鉄道車両又は航空機に使用するように設計された装置に組み込まれたものを除く。）
- イ最大動作接合部温度が二一五度を超えるように設計したもの
- ロ繰返しピーク休止状態電圧が三〇〇ボルトを超えるもの
- ハ継続電流が一アンペアを超えるもの
- イ
- 八の四アナログ信号用に設計した光の強度、振幅又は位相を操作する電気光学効果を利用する光変調器であって、次のいずれかに該当するもの（光入出力コネクタを有するものを含む。）
- イ最大動作周波数が一〇ギガヘルツ超二〇ギガヘルツ未満であって、光挿入損失が三デシベル以下のもののうち、次のいずれかに該当するもの
- ロ最大動作周波数が二〇ギガヘルツ以上のものであって、光挿入損失が三デシベル以下のもののうち、次のいずれかに該当するもの
- イ
- 九サンプリングオシロスコープであって、リアルタイムサンプリング手法を用いているもののうち、次のイ及びロに該当するもの
- イチャネルのノイズが最小となる縦軸レンジにおけるノイズ電圧の二乗平均平方根がフルスケールの二パーセント未満のもの
- ロいずれかのチャネルの上限三デシベル周波数が九〇ギガヘルツを超えるもの
- イ
- 十アナログデジタル変換器のうち、アナログデジタル変換を行う機能を有するモジュール、電子組立品又は装置（アナログデジタル変換カード、波形デジタイザー、データ収集カード、信号収集ボード及びトランジェントレコーダーを含む。）であって、次のイ及びロに該当するもの（デジタル方式の記録装置、サンプリングオシロスコープ、スペクトラムアナライザー、信号発生器、ネットワークアナライザー及びマイクロ波用試験受信機を除く。）
- イ分解能及びサンプルレートが次のいずれかに該当するもの
- ロ次のいずれかの機能を持つもの
- イ
- 十の二モジュール、電子組立品又は装置であって、一つ以上のユーザー構成可能なフィールドプログラマブルロジックデバイスを組み込んだ、ルックアップテーブル入力数の総計が一、八〇〇、〇〇〇以上であるもの
- 十一デジタル方式の記録装置であって、次のイ及びロに該当するもの
- イディスクメモリ又はソリッドステートドライブメモリへのデータ連続記録速度が六・四ギガビット毎秒を超えて維持可能なもの
- ロ記録中の無線周波数信号データを信号処理することができるもの
- イ
- 十二スペクトラムアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの
- イ三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、三デシベルの分解能帯域幅が四〇メガヘルツを超えるもの
- ロ四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、表示平均ノイズレベルがマイナス一六〇ディービーエム毎ヘルツ未満のもの
- ハ一一〇ギガヘルツを超える周波数を分析することができるもの
- ニ次の（一）及び（二）に該当するもの
- イ
- 十三信号発生器であって、次のいずれかに該当するもの（二以上の水晶発振器の周波数を加算した値、減算した値又はこれらの値を逓倍した値によって出力周波数を規定する装置を除く。）
- イ三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、次の（一）及び（二）に該当するパルス変調信号を発振するもの
- ロ四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、出力一〇〇ミリワット（二〇ディービーエム）を超えるもの
- ハ次のいずれかに該当するもの
- ニ搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次のいずれかに該当するもの
- ホデジタルベースバンド信号をベクトル変調する機能を有するもので、ベクトル変調帯域幅が次のいずれかに該当するもの
- ヘ最大出力周波数が一一〇ギガヘルツを超えるもの
- イ
- 十四ネットワークアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの
- イ四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出力が一〇〇ミリワット（二〇ディービーエム）を超えるもの
- ロ削除
- ハ五〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の周波数帯域における非線形ベクトルの計測機能を有するもの（イに該当するものを除く。）
- ニ最大動作周波数が一一〇ギガヘルツを超えるもの
- イ
- 十五マイクロ波用試験受信機であって、次のイ及びロに該当するもの
- イ一一〇ギガヘルツを超える周波数で使用することができるように設計したもの
- ロ振幅及び位相を同時に測定できるもの
- イ
- 十六原子周波数標準器であって、次のいずれかに該当するもの
- イルビジウムを用いていないものであって、三〇日間連続して発振したときの安定度が一、〇〇〇億分の一未満のもの
- ロ宇宙用に設計したもの
- ハ宇宙用に設計していないものであって、次の（一）から（三）までのすべてに該当するもの
- イ
- 十六の二スプレー冷却方式の熱制御装置であって、密閉された装置の中で冷媒の循環利用ができるもののうち、電気部品に絶縁冷媒を吹き付けて部品の温度を一定の範囲に収めるために特に設計した噴霧ノズルを有するもの又はそのために特に設計した部分品
- 十六の三極低温用の冷却装置又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
- イ零下二七三・〇五度以下の温度において、四八時間超にわたって、六〇〇マイクロワット以上の冷凍出力を供給する定格のもの
- ロ二段式のパルスチューブ冷凍機であって、温度を零下二六九・一五度未満に維持するものであり、かつ、零下二六八・九五度以下の温度において、一・五ワット以上の冷凍出力を供給する定格のもの
- イ
- 十七半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（ホ及びレにおいて「半導体製造装置」という。）若しくは試験装置であって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの部分品若しくは附属品
- イ結晶のエピタキシャル成長装置であって、次のいずれかに該当するもの（ウに該当するものを除く。）
- ロイオン注入装置であって、次のいずれかに該当するもの
- ハ削除
- ニ削除
- ホ自動的にウエハーの装塡を行うことができるマルチチャンバー対応ウエハー搬送中央装置であって、次の（一）及び（二）に該当するもの
- ヘリソグラフィ装置であって、次のいずれかに該当するもの
- ト削除
- チ削除
- リ削除
- ヌ試験装置であって、半導体素子若しくは集積回路又はこれらの半製品用のもののうち、次のいずれかに該当するもの
- ルペリクル（極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したものに限る。）を製造するための装置
- ヲウエハーの処理のためのステップアンドリピート方式又はステップアンドスキャン方式の露光装置であって、光学方式のものであり、かつ、光源の波長が一九三ナノメートル以上のもののうち、次の（一）及び（二）に該当するもの（ヘ（一）２に該当するものを除く。）
- ワ極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に調合したレジストを塗布し、成膜し、加熱し、又は現像するために設計した装置
- カドライエッチング用に設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの
- ヨウェットエッチング用に設計した装置であって、シリコンゲルマニウムのシリコンに対するエッチング選択性の比率が一〇〇倍以上であるもの
- タ異方性エッチング用に設計した装置であって、誘電体の材料に対して、エッチングの幅に対する深さの比率が三〇倍を超え、かつ、当該幅の寸法が一〇〇ナノメートル未満の形状を形成することができるもののうち、次の全てに該当するもの（カ（二）、ヨ、ア（一）又はサに該当するものを除く。）
- レ半導体製造装置のうち、成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの
- ソ特定半導体製造装置のうち、金属の層を成膜するように設計した装置であって、次の全てに該当するもの（レ（二）に該当するものを除く。）
- ツ特定半導体製造装置のうち、金属の層を成膜するように設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの（レ（二）に該当するものを除く。）
- ネウエハーの基板温度を二〇度超五〇〇度未満に維持しながら、有機金属化合物を用いてルテニウムの層を成膜するように設計した装置（レ（八）に該当するものを除く。）
- ナ空間的原子層堆積装置（回転軸をもつウエハーの支持台を有するものに限る。）であって、次のいずれかに該当するもの
- ラ成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの（キ（三）に該当するものを除く。）
- ムマスク（極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したものに限る。）に使用するための多層の反射膜をイオンビーム蒸着又は物理的気相成長法により成膜するように設計した装置
- ウシリコン又はシリコンゲルマニウムのエピタキシャル成長用に設計した装置であって、次の全てに該当するもの
- ヰ厚さが二マイクロメートル超であり、かつ、密度が一立方センチメートル当たり一・七グラム超のカーボンハードマスクをプラズマを用いた化学的気相成長法により成膜するように設計した装置
- ノタングステンの膜（ふっ素の原子数が一立方センチメートル当たり一〇の一九乗未満のものに限る。）を、プラズマを用いた原子層堆積法又は化学的気相成長法により成膜するように設計した装置（レ（二）に該当するものを除く。）
- オ金属配線間の隙間（幅が二五ナノメートル未満であり、かつ、当該幅に対する深さの比率が一倍以上のものに限る。）に比誘電率が三・三未満の低誘電層を空隙が生じないようにプラズマを用いて成膜するように設計した装置（キ（三）に該当するものを除く。）
- ク〇・〇一パスカル以下の真空状態において稼働するアニール装置であって、次のいずれかに該当するもの
- ヤ〇・〇一パスカル以下の真空状態において、高分子残さ及び銅酸化膜を除去し、かつ、銅の成膜を可能にするように設計した洗浄除去装置
- マ複数のチャンバー又はステーションを有する洗浄除去装置であって、ドライプロセスにより表面の酸化物を除去する前処理を行うように設計したもの又はドライプロセスにより表面の汚染物を除去するように設計したもの
- ケウエハーの表面改質の後に乾燥を行う工程を有する枚葉式のウェット洗浄装置
- フ極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用のマスクブランク又は当該装置用のパターン付きのマスクを検査するように設計した装置
- コプラズマドーピング用に設計されたイオン注入装置のうち、次の全てに該当するもの
- エ深紫外液浸フォトリソグラフィ装置において、又は、深紫外液浸フォトリソグラフィ装置とともに、次のいずれかを実施するように設計又は改造した装置
- テインプリントリソグラフィ装置であって、四・〇ナノメートル以下の重ね合わせ精度を有するもの
- アエッチング用に設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの
- サ極端紫外パターンシェイピング用に設計した装置（カ（一）、ヨ又はア（一）に該当するものを除く。）
- キ半導体製造装置のうち、成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの
- ユ三〇〇ミリメートルウエハー用に設計したアニール装置であって、ウエハーを一、〇〇〇度を超える温度で、二ミリ秒未満の持続時間で加熱できるように設計したもの
- メ超臨界二酸化炭素又は昇華乾燥を用いるように設計した枚葉式のウエハー洗浄装置
- ミ直径三〇〇ミリメートル以上のウエハーを受け入れるように設計又は改造したパターン付きウエハー欠陥測定装置又はパターン付きウエハー欠陥検査装置であって、次の全てに該当するもの
- シ計測装置であって、次のいずれかに該当するもの
- イ
- 十七の二半導体素子、集積回路又は半導体物質の製造用の装置又は試験装置であって、次のいずれかに該当するもの
- イ半導体素子又は集積回路の画像を取得するために設計した走査型電子顕微鏡であって、次の（一）から（七）までの全てに該当するもの（国際半導体製造装置材料協会が定めたＳＥＭＩ規格に準拠したウエハーの搬送・保管容器（二〇〇ミリメートル以上のフロント・オープニング・ユニファイド・ポッド（ＦＯＵＰ）を含む。）用にウエハー搬入部を設計したものを除く。）
- ロ極低温ウエハープローバ装置であって、次の（一）及び（二）に該当するもの
- イ
- 十七の三集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル又はこれらの部分品若しくは附属品であって、次のいずれかに該当するもの
- イマスク又はレチクル（ニに該当するものを除く。）であって、第一号から第八号の四までのいずれかに該当する集積回路の製造用のもの又はこれらの部分品若しくは附属品（ホに掲げるものを除く。）
- ロ位相シフト膜を有する多層マスクであって、光源の波長が二四五ナノメートル未満のリソグラフィ装置に用いるために設計したもの（イに該当するもの及び第一号から第八号の四までのいずれにも該当しない記憶素子を製造するために設計したものを除く。）又はその部分品若しくは附属品
- ハインプリントリソグラフィテンプレートであって、第一号から第八号の四までのいずれかに該当する集積回路の製造用のもの又はその部分品若しくは附属品
- ニ極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したマスク又はレチクルであって、次号に該当するマスクブランクを有するもの又はこれらの部分品若しくは附属品（ホに掲げるものを除く。）
- ホペリクルであって、極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したもの
- イ
- 十七の四マスクの製造に用いられる基材であって、モリブデン及びシリコンからなる多層膜の反射構造を有するマスクブランクのうち、次のイ及びロに該当するもの
- イ極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したもの
- ロ国際半導体製造装置材料協会が定めたＳＥＭＩ規格Ｐ三七の仕様に準拠したもの
- イ
- 十八基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の多層膜の結晶を有し、かつ、当該結晶がエピタキシャル成長されているもののうち、ヘテロエピタキシャル材料となるもの（次号に該当するもの又はニに該当する化合物（窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムアルミニウム、窒化インジウムアルミニウムガリウム、リン化ガリウム、砒化ガリウム、砒化アルミニウムガリウム、リン化インジウム、リン化インジウムガリウム、リン化アルミニウムインジウム又はリン化インジウムガリウムアルミニウムに限る。）のＰ型エピタキシャル層を一層以上有するものであって、当該Ｐ型エピタキシャル層がＮ型層に挟まれていないものを除く。）
- イシリコン
- ロゲルマニウム
- ハ炭化けい素
- ニⅢ―Ⅴ族化合物（ガリウム又はインジウムの化合物に限る。）
- ホ三酸化二ガリウム
- ヘダイヤモンド
- イ
- 十八の二基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の一層以上からなる膜の結晶を有し、かつ、当該結晶がエピタキシャル成長されているもののうち、エピタキシャル材料となるもの
- イシリコンであって、シリコン二八又はシリコン三〇以外のシリコンの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
- ロゲルマニウムであって、ゲルマニウム七〇、ゲルマニウム七二、ゲルマニウム七四又はゲルマニウム七六以外のゲルマニウムの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
- イ
- 十九レジストであって、次のいずれかに該当するもの又はそれを塗布した基板
- イ半導体用のリソグラフィに使用するレジストであって、次のいずれかに該当するもの
- ロ電子ビーム又はイオンビームで使用するために設計したレジストであって、〇・〇一マイクロクーロン毎平方ミリメートル以下の感度を有するもの
- ハ削除
- ニ表面イメージング技術用に最適化したレジスト
- ホ第十七号ヘ（二）に該当するインプリントリソグラフィ装置に使用するように設計又は最適化したレジストであって、熱可塑性又は光硬化性のもの
- イ
- 二十有機金属化合物又は有機化合物であって、次のいずれかに該当するもの
- イアルミニウム、ガリウム又はインジウムの有機金属化合物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの
- ロ燐、砒素又はアンチモンの有機化合物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの
- イ
- 二十一燐、砒素又はアンチモンの水素化物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの（二〇モルパーセント以上の不活性ガス又は水素を含んだものを除く。）
- 二十二炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、三酸化二ガリウム又はダイヤモンドの半導体基板又はインゴット、ブール若しくはその他のプリフォームであって、二〇度の温度における電気抵抗率が一〇、〇〇〇オームセンチメートルを超えるもの
- 二十三多結晶基板又は多結晶セラミック基板であって、二〇度の温度における電気の抵抗率が一〇、〇〇〇オームセンチメートルを超えるもののうち、当該基板の表面にシリコン、炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、三酸化二ガリウム又はダイヤモンドの非エピタキシャル単結晶層を少なくとも一層以上有するもの
- 二十四前二号のいずれかに該当する基板であって、当該基板の上に炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、三酸化二ガリウム又はダイヤモンドのエピタキシャル層を少なくとも一層以上有するもの（第十八号に該当するものを除く。）
- 二十五シリコン又はゲルマニウムのふっ化物、水素化物又は塩化物であって、次のいずれかを含むもの
- イシリコンであって、シリコン二八又はシリコン三〇以外のシリコンの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
- ロゲルマニウムであって、ゲルマニウム七〇、ゲルマニウム七二、ゲルマニウム七四又はゲルマニウム七六以外のゲルマニウムの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
- イ
- 二十六シリコン、シリコン酸化物、ゲルマニウム又はゲルマニウム酸化物であって、次のいずれかを含むもの又はこれらの基板若しくはインゴット、ブール又はその他のプリフォーム
- イシリコンであって、シリコン二八又はシリコン三〇以外のシリコンの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
- ロゲルマニウムであって、ゲルマニウム七〇、ゲルマニウム七二、ゲルマニウム七四又はゲルマニウム七六以外のゲルマニウムの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
- イ