第十九条
外為令別表の七の項(一)の経済産業省令で定める技術は、次のいずれかに該当するものとする。
- 一第六条第二号ハ(一)5若しくは6若しくは(二)3若しくはニ(一)5若しくは6若しくは(二)3若しくは4又は第十六号ロに該当するものの設計又は製造に必要な技術(プログラムを除く。)
- 二
- 三第六条第十六号ロに該当するものを設計し、又は製造するために設計したプログラム
- 四第六条第十六号の二に該当するものを設計するために設計したプログラム
- 五
2外為令別表の七の項(二)の経済産業省令で定める技術は、第六条第十七号イ、ロ、ホ、ヘ又はヌからシまでのいずれかに該当するものを使用するために設計したプログラムとする。
3外為令別表の七の項(三)の経済産業省令で定める技術は、次のいずれかに該当するものとする。
- 一極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用のマスク又はレチクルのパターンを設計するために特に設計したコンピューテーショナル・リソグラフィ・プログラム
- 二絶縁体が二酸化けい素からなる集積回路の基板であって、シリコンオンインシュレータ構造を有するものの設計又は製造に係る技術(プログラムを除く。)
- 三マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ又はマイクロコントローラのコアであって、論理演算ユニットのアクセス幅のビット数が三二以上のもののうち、次のいずれかに該当するものの設計又は製造に必要な技術(プログラムを除く。)
- イベクトル演算器であって、浮動小数点ベクトル演算処理を同時に二を超えて実現できるように設計したもの
- ロ六四ビット以上の浮動小数点演算処理を一サイクル当たり四を超えて実現できるように設計したもの
- ハ一六ビットの固定小数点積和演算処理を一サイクル当たり八を超えて実現できるように設計したもの
- イ
- 四電磁パルス又は静電放電による中断から一ミリ秒以内に動作の連続性を失うことなくマイクロコンピュータ又はマイクロプロセッサを正常状態に回復するように特に設計したプログラム
- 五直径三〇〇ミリメートルのシリコンウエハーの外周の除外領域を二ミリメートル以下としたウエハーの表面に対するスライス、研削及び研磨の技術のうち、長さ二六ミリメートル、幅八ミリメートルの長方形に分割されたいずれの領域における平坦度が二〇ナノメートル以下を達成するために必要な技術(プログラムを除く。)
- 六ゲートオールアラウンド電界効果トランジスタ(GAAFET)の構造を有する集積回路を設計するために特に設計したECADプログラムであって、次のいずれかに該当するもの
- イレジスタ転送レベル(RTL)をGDSⅡ又はこれと同等のデータベースファイル形式に実装するために特に設計したもの
- ロ設計する集積回路内のデータ処理における消費電力又はデータを転送するまでに要する時間を最適化するために特に設計したもの
- イ
- 七走査型電子顕微鏡により取得した画像からGDSⅡデータ又はこれと同等の標準レイアウトデータを抽出し、当該データの層間位置合わせ機能を実行し、多層のGDSⅡデータ又は回路のネットリストを生成するために設計したプログラム
- 八ゲートオールアラウンド電界効果トランジスタ(GAAFET)の構造を有する集積回路又は半導体素子の設計又は製造に必要な技術(プログラムを除く。)であって、次のいずれにも該当しないもの
- イプロセスデザインキット(第六条第一号から第八号の四までのいずれかに該当する貨物に係る機能又は技術を実装するライブラリが含まれているものを除く。)
- ロツールの認定又は保守に用いるもの
- イ
- 九複数のチップをマルチチップ集積回路に統合するために設計した電子コンピュータ支援設計プログラムであって、次の全てに該当するもの
- (一)フロアプランニングを有するもの
- (二)チップとパッケージの協調設計又は協調シミュレーションを有するもの
- (一)
- 十マルチパターニングを使用した集積回路を設計し、又は製造するために設計し、又は改造した電子コンピュータ支援設計プログラム
- 十一深紫外リソグラフィのマスク又はレチクル上のパターンを設計し、又は製造するために設計し、又は改造した計算機リソグラフィ用のプログラム
4外為令別表の七の項(四)の経済産業省令で定める技術は、超電導材料を用いた電子素子の設計又は製造に係る技術(プログラムを除く。)とする。
5外為令別表の七の項(五)の経済産業省令で定める技術は、次のいずれかに該当するものとする。
- 一削除
- 二真空マイクロエレクトロニクス装置の設計又は製造に係る技術(プログラムを除く。)
- 三ヘテロ接合の半導体素子(動作周波数が三一・八ギガヘルツ未満の高電子移動度トランジスタ又はヘテロ接合バイポーラトランジスタを除く。)の設計又は製造に係る技術(プログラムを除く。)
- 四電子機器の部分品として用いる基板であって、ダイヤモンド、炭化けい素又は酸化ガリウムを用いたものの設計又は製造に係る技術(プログラムを除く。)
- 五動作周波数が三一・八ギガヘルツ以上の真空電子デバイス(クライストロン、進行波管及びこれらから派生したものを含む。)の設計又は製造に係る技術(プログラムを除く。)