（特定半導体生産施設整備等計画の認定）
第十一条
特定半導体生産施設整備等を行おうとする事業者は、単独で又は共同して、その実施しようとする特定半導体生産施設整備等に関する計画（以下「特定半導体生産施設整備等計画」という。）を作成し、主務省令で定めるところにより、主務大臣に提出して、その認定を受けることができる。
2特定半導体生産施設整備等計画には、次に掲げる事項を記載しなければならない。
- 一特定半導体生産施設整備等の目標
- 二特定半導体生産施設整備等の内容及び実施期間
- 三特定半導体生産施設整備等の実施体制
- 四特定半導体生産施設整備等を行うために必要な資金の額及びその調達方法
- 五特定半導体の国内における安定的な生産に資する取組に関する事項
- 六前各号に掲げるもののほか、特定半導体生産施設整備等に関し必要な事項
3主務大臣は、第一項の認定の申請があった場合において、当該申請に係る特定半導体生産施設整備等計画が次の各号のいずれにも適合するものであると認めるときは、その旨の認定をするものとする。
- 一当該特定半導体生産施設整備等計画の内容が指針に照らし適切なものであること。
- 二当該特定半導体生産施設整備等計画に基づく特定半導体又は特定半導体材料等（第四号及び第五号において「特定半導体等」という。）の生産が主務省令で定める期間以上継続的に行われると見込まれるものであること。
- 三当該特定半導体生産施設整備等計画に係る特定半導体生産施設整備等が円滑かつ確実に実施されると見込まれるものであること。
- 四特定半導体等の需給がひっ迫した場合における増産、特定半導体等の生産能力を強化するための投資及び研究開発その他特定半導体の国内における安定的な生産に資するものとして主務省令で定める取組が行われると見込まれるものであること。
- 五特定半導体等に係る技術上の情報を適切に管理するための体制が整備されていること。
4主務大臣は、第一項の認定に当たり必要があると認めるときは、あらかじめ、関係行政機関の長に協議することができる。
5主務大臣は、第一項の認定をしたときは、主務省令で定めるところにより、当該認定に係る特定半導体生産施設整備等計画の概要を公表するとともに、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（次条第四項及び第二十九条において「機構」という。）に当該認定をした旨を通知するものとする。